晶体管及其形成方法

摘要

一种晶体管及其形成方法，其中，所述晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的栅介质层；位于所述栅介质层表面的氮化硅层；位于所述氮化硅层表面的栅电极层，所述氮化硅层与栅介质层相接触表面为第一表面，所述氮化硅层与栅电极层相接触的表面为第二表面，所述第二表面的硅原子百分比浓度比第一表面高；位于所述栅电极层、氮化硅层和栅介质层两侧的半导体衬底表面的侧墙；位于所述栅电极层和侧墙两侧的半导体衬底内的源/漏区。所述晶体管的开启电压减小，功耗降低。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成栅介质层；在所述栅介质层表面形成氮化硅层，所述氮化硅层与栅介质层相接触表面为第一表面，所述氮化硅层与第一表面相对的表面为第二表面，所述第二表面的硅原子百分比浓度比第一表面高，所述氮化硅层包括位于所述栅介质层表面的富氮层、以及位于所述富氮层表面的富硅层，所述富氮层内的氮原子数量与硅原子数量的比值大于1.2，所述富硅层内的氮原子数量与硅原子数量的比值小于1.2；在所述氮化硅层表面形成栅电极层；在所述栅电极层、氮化硅层和栅介质层两侧的半导体衬底表面形成侧墙；在所述栅电极层和侧墙两侧的半导体衬底内形成源/漏区。