| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括SRAM区域，所述SRAM区域包括第一PMOS区域和第一NMOS区域；在第一PMOS区域的半导体衬底上形成第一栅极结构，所述第一栅极结构包括第一功函数层；在第一NMOS区域的半导体衬底上形成第二栅极结构，所述第二栅极结构包括第二功函数层；所述第一功函数层与所述第二功函数层的材料相同。采用本发明减小后续形成的半导体结构产生的失配几率，提高了后续形成的半导体结构的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN105990347A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510051756.3 | 申请日期 | 2015.01.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 李勇;居建华 |
| 分类号 | H01L27/11(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 吴敏;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括SRAM区域，所述SRAM区域包括第一PMOS区域和第一NMOS区域；在第一PMOS区域的半导体衬底上形成第一栅极结构，所述第一栅极结构包括第一功函数层；在第一NMOS区域的半导体衬底上形成第二栅极结构，所述第二栅极结构包括第二功函数层；所述第一功函数层与所述第二功函数层的材料相同。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||