半导体装置的制造方法

摘要

本发明的实施方式提供一种一面抑制半导体衬底的破损一面将半导体衬底与支持衬底分离的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法是形成包括半导体衬底、第1接着剂层、第2接着剂层、及支持衬底的接着体者，且以第1接着剂层的周缘部露出的方式去除支持衬底的一部分与第2接着剂层的一部分，自支持衬底的与第2接着剂层的接着面的相反面沿厚度方向去除支持衬底的一部分，至少在支持衬底的一部分形成沿支持衬底的第1方向延伸的脆弱部，沿在支持衬底的平面上与第1方向交叉的第2方向剥离支持衬底。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于：其是形成接着体的，该接着体包括：半导体衬底；第1接着剂层，其以覆盖所述半导体衬底的平面的一部分的方式接着在所述半导体衬底；第2接着剂层，其以覆盖所述第1接着剂层的方式接着在所述半导体衬底，且具有较所述第1接着剂层更高的对所述半导体衬底的接着强度；及支持衬底，其以隔着所述第1接着剂层及所述第2接着剂层而与所述半导体衬底对向的方式接着在所述第2接着剂层；且该半导体装置的制造方法是：以使所述第1接着剂层的周缘部露出的方式去除所述支持衬底的一部分与所述第2接着剂层的一部分；自所述支持衬底的与所述第2接着剂层的接着面的相反面在厚度方向去除所述支持衬底的一部分；至少在所述支持衬底的一部分形成沿所述支持衬底的第1方向延伸的脆弱部；沿在所述支持衬底的平面上与所述第1方向交叉的第2方向剥离所述支持衬底。