| 发明名称 | 存储器电路的跨接结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种存储器电路，包括第一存储单元和与第一存储单元相邻的第二存储单元。第一存储单元包括：第一字线跨接线部，与第一存储单元的传输器件电耦接；和第二字线跨接线部。第二存储单元包括：第一字线跨接线部；和第二字线跨接线部，与第二存储单元的传输器件电耦接。第一存储单元的第一字线跨接线部和第二存储单元的第一字线跨接线部在第一互连层处相互连接。第一存储单元的第二字线跨接线部和第二存储单元的第二字线跨接线部在第一互连层处相互连接。 | ||
| 申请公布号 | CN105990333A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201610071611.4 | 申请日期 | 2016.02.02 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 廖忠志 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L27/112(2006.01)I;G11C17/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种存储器电路，包括：第一存储单元，包括：传输器件；字线部；第一字线跨接线部，与所述第一存储单元的传输器件和所述第一存储单元的字线部电耦接；和第二字线跨接线部；以及第二存储单元，与所述第一存储单元相邻，所述第二存储单元包括：传输器件；字线部；第一字线跨接线部；和第二字线跨接线部，与所述第二存储单元的传输器件和所述第二存储单元的字线部电耦接，其中，所述第一存储单元的第一字线跨接线部和所述第二存储单元的第一字线跨接线部在所述存储器电路的第一互连层处相互连接；以及所述第一存储单元的第二字线跨接线部和所述第二存储单元的第二字线跨接线部在所述存储器电路的第一互连层处相互连接。 | ||
| 地址 | 中国台湾，新竹 | ||