| 发明名称 | 具有用于嵌入锗材料的成形腔的半导体器件及其双沟槽制造工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体工艺及器件。更具体地，本发明的实施例提供一种半导体器件，该半导体器件包括由两个沟槽结构形成的成形腔，并且该成形腔填充有硅和锗材料。还提供了其他实施例。 | ||
| 申请公布号 | CN105990343A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510079521.5 | 申请日期 | 2015.02.13 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 李芳;朱也方;陈锟 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 徐伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：包括硅材料的基板；位于所述基板内的腔区域，所述腔区域包括与所述基板交界的两个凸侧壁和底部表面，所述底部表面包括凹陷区域；以及至少部分地位于所述腔区域内的填充材料，所述填充材料包括硅和锗材料。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||