| 发明名称 | 隧穿场效应晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种隧穿场效应晶体管，包括：衬底，衬底上形成有外延的鳍；第一栅极和第二栅极，分别形成在鳍的相对的侧壁上；第一栅介质层，形成在第一栅极与鳍的侧壁之间以及第一栅极的底面上；第二栅介质层，形成在第二栅极与鳍的侧壁之间以及第二栅极的底面上；源区和漏区，分别形成在第一栅极一侧和第二栅极一侧。该结构的隧穿场效应晶体管可通过控制鳍的宽窄来实现不受杂质注入扩散限制的窄隧穿结，提高了隧穿电流，并通过增大有效隧穿面积进一步提高导通电流。 | ||
| 申请公布号 | CN105990410A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510098501.2 | 申请日期 | 2015.03.05 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱正勇;朱慧珑;许淼 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 党丽;韩晓莉 |
| 主权项 | 一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底，衬底上形成有外延的鳍；第一栅极和第二栅极，分别形成在鳍的相对的侧壁上；第一栅介质层，形成在第一栅极与鳍的侧壁之间以及第一栅极的底面上；第二栅介质层，形成在第二栅极与鳍的侧壁之间以及第二栅极的底面上；源区和漏区，分别形成在第一栅极一侧和第二栅极一侧。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||