发明名称 |
半导体发光元件及其制造方法 |
摘要 |
本发明的实施方式提供一种抑制了缺陷产生的半导体发光元件及其制造方法。实施方式的半导体发光元件具备:基板,具有第1面及与所述第1面为相反侧的第2面;绝缘层,设置在所述基板的所述第2面上;第1金属层,设置在所述绝缘层上;半导体发光部,设置在所述第1金属层上,且包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层及设置在所述第1半导体层与第2半导体层之间的发光层,且所述第2半导体层电连接在所述第1金属层;以及第1电极层。所述第1电极层设置在所述基板的所述第1面,并且一部分与所述基板及所述绝缘层接触,且电连接在所述第1金属层。 |
申请公布号 |
CN105990473A |
申请公布日期 |
2016.10.05 |
申请号 |
CN201510854341.X |
申请日期 |
2015.11.30 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
森健太郎;铃木健之;松尾美惠;关口正博;加贺广持 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
张世俊 |
主权项 |
一种半导体发光元件,其特征在于具备:基板,具有第1面及与所述第1面为相反侧的第2面;绝缘层,设置在所述基板的所述第2面上;第1金属层,设置在所述绝缘层上;半导体发光部,设置在所述第1金属层上,且包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层,且所述第2半导体层电连接在所述第1金属层上;以及第1电极层,设置在所述基板的所述第1面,并且一部分与所述基板及所述绝缘层接触,且电连接在所述第1金属层上。 |
地址 |
日本东京 |