发明名称 半导体发光装置
摘要 本发明提供包含半导体部、第一金属柱、第二金属柱及绝缘层的半导体发光装置。半导体部包含第一面、第二面及发光层。第二面包含与发光层重叠的第一区域及不与发光层重叠的第二区域。第一金属柱与第二区域电性连接。第一金属柱包含第一金属层及第二金属层。第二金属层的硬度比第一金属层的硬度硬。第一金属层设置在第二面与第二金属层的至少一部分之间。第二金属柱在第二方向与第一金属柱并排,与第一区域电性连接,第二方向与从第一面朝向第二面的第一方向交叉。第二金属柱包含第三金属层及第四金属层。第四金属层的硬度比第三金属层的硬度硬。第三金属层设置在第二面与第四金属层的至少一部分之间。绝缘层设置在第一金属柱与第二金属柱之间。
申请公布号 CN105990506A 申请公布日期 2016.10.05
申请号 CN201610012015.9 申请日期 2016.01.08
申请人 株式会社东芝 发明人 小幡进;小岛章弘
分类号 H01L33/62(2010.01)I 主分类号 H01L33/62(2010.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 张世俊
主权项 一种半导体发光装置,其特征在于具备:半导体部,包含第一面、与所述第一面为相反侧的第二面、及发光层,且所述第二面包含与所述发光层重叠的第一区域、及不与所述发光层重叠的第二区域;第一金属柱,作为与所述第二区域电性连接的第一金属柱,包含第一金属层、及硬度比所述第一金属层的硬度硬的第二金属层,且所述第一金属层设置在所述第二面与所述第二金属层的至少一部分之间;第二金属柱,作为在第二方向上与所述第一金属柱并排且与所述第一区域电性连接的第二金属柱,所述第二方向与从所述第一面朝向所述第二面的第一方向交叉,包含第三金属层、及硬度比所述第三金属层的硬度硬的第四金属层,且所述第三金属层设置在所述第二面与所述第四金属层的至少一部分之间;以及绝缘层,设置在所述第一金属柱与所述第二金属柱之间。
地址 日本东京