发明名称 RESIST COMPOSITION METHOD OF FORMING RESIST PATTERN PHOTOREACTIVE QUENCHER AND COMPOUND
摘要 노광에 의해 산을 발생하고, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 레지스트 조성물로서, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분 (A) 와, 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분 (B) 와, 광 반응성 퀀처 (D0) 을 함유하고, 상기 광 반응성 퀀처 (D0) 이 하기 일반식 (d0) 으로 나타내는 화합물 (D0-1) 을 함유하는 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물 [식 중, Ra은 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기, Ra, Ra은, 각각 독립적으로, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기이다. X는 카운터 아니온이다.] [화학식 1]
申请公布号 KR20160114524(A) 申请公布日期 2016.10.05
申请号 KR20160034140 申请日期 2016.03.22
申请人 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. 发明人 NAGAMINE TAKASHI;TAKAKI DAICHI;SHINOMIYA MIKI
分类号 G03F7/004;G03F7/038;G03F7/039 主分类号 G03F7/004
代理机构 代理人
主权项
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