半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

半导体装置(1)具备：多个沟槽栅(3)，在半导体基板(2)上并排形成；层间绝缘膜(4)，其具有使半导体基板(2)的表面的一部分露出的开口部(45)；接触插塞(5)，其被形成在开口部(45)之中。层间绝缘膜(4)具备覆盖各个沟槽栅(3)的多个第一部分(41)和在相邻的第一部分(41)之间沿着与第一部分(41)交叉的方向而形成的第二部分(42)。开口部(45)被形成在由第一部分(41)和第二部分(42)包围而成的区域中，并且，沿着第一部分(41)的方向上的开口部(45)的长度短于沿着与第一部分(41)交叉的第二部分(42)的方向上的开口部(45)的长度。

主权项

一种半导体装置，具备：多个第一沟槽栅，在半导体基板上并排形成；层间绝缘膜，其被形成在所述半导体基板的表面上，并且具有使所述半导体基板的表面的一部分露出的开口部；接触插塞，其被形成在所述开口部之中，所述层间绝缘膜具备：以覆盖各个所述第一沟槽栅的方式而沿着各个所述第一沟槽栅的表面形成的多个第一部分；和在相邻的所述第一部分之间沿着与所述第一部分交叉的方向而形成的第二部分，所述开口部被形成在由所述第一部分和所述第二部分包围而成的区域中，并且，沿着所述第一部分的方向上的所述开口部的长度短于沿着与所述第一部分交叉的所述第二部分的方向上的所述开口部的长度。