存储装置

摘要

根据实施方式，存储装置具有控制部、连接于所述控制部的第1电极及第2电极、及设置在所述第1电极与所述第2电极之间且具有硫属化合物的电阻变化层。所述电阻变化层具有第1结构、及具有与所述第1结构不同的结晶结构的第2结构。所述控制部具有：第1动作，对所述第1电极与所述第2电极之间施加第1电压；第2动作，对所述第1电极与所述第2电极之间施加低于所述第1电压的第2电压，判定所述电阻变化层是否为所述第2结构；及第3动作，对夹隔所述第2动作中判定并非为所述第2结构的所述电阻变化层的所述第1电极与所述第2电极之间施加高于所述第1电压及所述第2电压的第3电压。

主权项

一种存储装置，其特征在于包含：控制部；第1电极及第2电极，连接于所述控制部；及电阻变化层，设置在所述第1电极与所述第2电极之间，且具有包含晶界的硫属化合物；所述电阻变化层具有：第1结构；及第2结构，具有与所述第1结构不同的所述晶界的结构；所述控制部具有：第1动作，对所述第1电极与所述第2电极之间施加第1电压；第2动作，对所述第1电极与所述第2电极之间施加低于所述第1电压的第2电压，判定所述电阻变化层是否具有所述第1结构；及第3动作，对夹隔所述第2动作中判定为具有所述第1结构的所述电阻变化层的所述第1电极与所述第2电极之间，施加高于所述第1电压及所述第2电压的第3电压。