发明名称 包括可溶液加工的金属氧化物缓冲层的电子设备
摘要 本发明涉及电子设备领域,例如有机电子,其中所述设备包括基材和多个层,其中至少一个所述层是缓冲层,其中所述缓冲层包括用如说明书所述的分散剂涂覆的金属氧化物纳米颗粒。本发明还提供适于制造这种电子设备的中间体商品和材料,提供特殊的制造方法和提供特殊的应用。
申请公布号 CN105981190A 申请公布日期 2016.09.28
申请号 CN201480075119.3 申请日期 2014.10.09
申请人 纳米格拉德股份公司 发明人 N·A·卢钦格;S·C·哈利姆;T·斯塔布汗;C·J·布拉贝克
分类号 H01L51/42(2006.01)I 主分类号 H01L51/42(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 郭辉;项丹
主权项 一种选自有机电子的电子设备,其中,所述设备包括基材和多个层,其中,至少一个所述层是缓冲层,其中所述缓冲层包括使用至少一种分散剂涂覆的金属氧化物纳米颗粒,其中所述分散剂是下述通式(I)的烷基醚的磷酸酯:RO‑(C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>O)<sub>m</sub>(C<sub>3</sub>H<sub>6</sub>O)<sub>n</sub>‑H   (I)其中R是C<sub>1</sub>‑C<sub>10</sub>‑烷基;m和n分别独立地是2‑60,或者其中所述分散剂是下述通式(III)的嵌段共聚物的磷酸酯:RO(C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>O)<sub>o</sub>(PES)<sub>p</sub>‑H    (III)其中R是C<sub>1‑10</sub>‑烷基;PES是衍生自环状内酯的聚酯;o是5‑60;p是2‑30;且其中RO(C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>O)<sub>o</sub>的分子量大于(PES)<sub>p</sub>的分子量。
地址 瑞士斯塔法