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发明名称 nitride semiconductor device and method for fabricating the same
摘要 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, (0001)면이 노출되는 요철 표면을 갖는 기판과, 기판 위에 형성되고 요철 표면을 갖는 제 1 클래드층과, 제 1 클래드층 위에 형성되고 요철 표면을 갖는 활성층과, 활성층 위에 형성되고 요철 표면을 갖는 제 2 클래층을 포함하여 구성될 수 있다.
申请公布号 KR101660732(B1) 申请公布日期 2016.09.28
申请号 KR20100016593 申请日期 2010.02.24
申请人 엘지전자 주식회사 发明人 정석구
分类号 H01S5/02;H01S5/30 主分类号 H01S5/02
代理机构 代理人
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