| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的实施方式提供一种缺陷产生受到抑制的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：衬底；第一氮化物半导体层，其设置于所述衬底上；第二氮化物半导体层，其设置于所述第一氮化物半导体层上；第三氮化物半导体层，其设置于所述第二氮化物半导体层上；电极，其设置于所述第三氮化物半导体层上；及绝缘层，其设置于所述第一氮化物半导体层与所述第二氮化物半导体层之间，且选择性地设置于所述电极下。 | ||
| 申请公布号 | CN105977293A | 申请公布日期 | 2016.09.28 |
| 申请号 | CN201510556279.6 | 申请日期 | 2015.09.02 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 古川千里;小川雅章;罇贵子;西脇若菜 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 张世俊 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于具备：衬底；第一氮化物半导体层，其设置于所述衬底上；第二氮化物半导体层，其设置于所述第一氮化物半导体层上；第三氮化物半导体层，其设置于所述第二氮化物半导体层上；电极，其设置于所述第三氮化物半导体层上；以及绝缘层，其设置于所述第一氮化物半导体层与所述第二氮化物半导体层之间，且选择性地设置于所述电极下。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||