一种K空穴掺杂的多晶SnSe及其制备方法

摘要

本发明涉及一种K空穴掺杂的多晶SnSe及其制备方法，属于能源材料技术领域。本发明的方法通过以高纯的Sn、K和Sn单质为原料，将原料通过改进的机械合金化方法制备成化合物粉体，然后通过放电等离子烧结的方法，并调节机械合金化方法以及放电等离子烧结的工艺参数，实现了钾元素的有效掺杂，制备得到K空穴掺杂的多晶SnSe，其中，Sn、K和Se的原子比为Sn:K:Se＝1‑x:x:1，0＜x≤0.1，其具有低的热导率、高的载流子浓度、高的功率因子和ZT值，热导率在773K可低至0.20W/mK，最高功率因子和最高热电优值ZT分别高达350μW/mK²和1.08，优化了热电性能，而且本发明的方法具有工艺简便、成本低和实用性强等优点。

主权项

一种K空穴掺杂的多晶SnSe，其特征在于，所述K空穴掺杂的多晶SnSe中，Sn、K和Se的原子比为Sn:K:Se＝1‑x:x:1，0＜x≤0.1。