用于形成结绝缘区域的自对准注入工艺

摘要

一种器件包括半导体衬底，位于半导体衬底中的阱区和金属氧化物半导体(MOS)器件。MOS器件包括与阱区重叠的栅极电介质、位于栅极电介质上方的栅电极和位于所述阱区中的源极/漏极区域。源极/漏极区域和阱区具有相反的导电类型。远离栅电极的第一源极漏极区域的边缘接触阱区以形成结绝缘。本发明还提供了一种用于形成结绝缘区域的自对准注入工艺。

主权项

一种图像传感器件，包括：半导体衬底；阱区，位于所述半导体衬底中；以及金属氧化物半导体(MOS)器件，包括：栅极电介质，与所述阱区重叠；栅电极，位于所述栅极电介质上方；和第一源极/漏极区域，位于所述阱区中，所述第一源极/漏极区域和所述阱区具有相反的导电类型，并且所述第一源极/漏极区域的远离所述栅电极的边缘接触所述阱区以形成结绝缘；第一图像传感器邻近所述金属氧化物半导体器件并且位于所述半导体衬底中，其中，所述阱区包括与所述第一图像传感器的边缘相直接接触的第一边缘；第二图像传感器邻近所述金属氧化物半导体器件并且位于所述半导体衬底中，其中，所述阱区包括与所述第二图像传感器的边缘相直接接触的第二边缘。