发明名称 高压直流变压器及其控制方法
摘要 一种高压直流变压器及其控制方法,由N台隔离型低压DC‑DC变换器构成。每台隔离型低压DC‑DC变换器的高压侧包含第一机械式旁路开关(K<sub>1</sub>),低压侧包含第二机械式旁路开关(K<sub>2</sub>)。正常工作时,控制系统使R台隔离型低压DC‑DC变换器处于冗余状态,其余N‑R台隔离型低压DC‑DC变换器处于正常状态,0&lt;R&lt;N;当内部任一台隔离型低压DC‑DC变换器出现故障时,其高压侧第一机械式旁路开关(K<sub>1</sub>)闭合,低压侧第二机械式旁路开关(K<sub>2</sub>)断开;无论内部电路是否出现故障,任意时刻只有N‑R台隔离型低压DC‑DC变换器承受高压直流电压,因此某部分电路被旁路时不影响输入、输出电压。
申请公布号 CN103633623B 申请公布日期 2016.09.28
申请号 CN201310659469.1 申请日期 2013.12.08
申请人 中国科学院电工研究所;国网浙江省电力公司 发明人 李子欣;王平;李耀华;高范强;徐飞;楚遵方;孙湛冬
分类号 H02H7/05(2006.01)I;H02M3/315(2006.01)I 主分类号 H02H7/05(2006.01)I
代理机构 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人 关玲
主权项 一种高压直流变压器的控制方法,所述的高压直流变压器由N台隔离型低压DC‑DC变换器通过高压侧串联、低压侧并联构成,N为任意正整数;所述的隔离型低压DC‑DC变换器的高压侧第一连接端子(T<sub>1</sub>)和第二连接端子(T<sub>2</sub>)之间并联有第一机械式旁路开关(K<sub>1</sub>);所述的隔离型低压DC‑DC变换器的低压侧第三连接端子(T<sub>3</sub>)和第四连接端子(T<sub>4</sub>)之间串联有第二机械式旁路开关(K<sub>2</sub>);第一台隔离型低压DC‑DC变换器的高压侧第一连接端子(T<sub>1</sub>)与高压直流侧的正极连接在一起;第N台隔离型低压DC‑DC变换器的高压侧第二连接端子(T<sub>2</sub>)与高压直流侧的负极连接在一起;第m台隔离型低压DC‑DC变换器高压侧第二连接端子(T<sub>2</sub>)与第m+1台隔离型低压DC‑DC变换器高压侧第一连接端子(T<sub>1</sub>)连接在一起,1&lt;m&lt;N;N台隔离型低压DC‑DC变换器的低压侧第三连接端子(T<sub>3</sub>)与低压直流侧的正极共同连接一起;N台隔离型低压DC‑DC变换器的低压侧第四连接端子(T<sub>4</sub>)与低压直流侧的负极共同连接一起;所述的隔离型低压DC‑DC变换器由机械式旁路开关(K<sub>1</sub>、K<sub>2</sub>)、半导体开关(S<sub>1</sub>‑S<sub>6</sub>)、电容器(C<sub>1</sub>‑C<sub>4</sub>)、高频变压器(HFT)以及无源器件(Z<sub>1</sub>、Z<sub>2</sub>)构成;第一机械式旁路开关(K<sub>1</sub>)与第二半导体开关(S<sub>2</sub>)并联;第一半导体开关(S1)与第二半导体开关(S<sub>2</sub>)串联连接,即第一半导体开关(S<sub>1</sub>)的发射极与第二半导体开关(S<sub>2</sub>)的集电极连接在第一连接端子(T<sub>1</sub>);第一电容器(C<sub>1</sub>)与第二电容器(C<sub>2</sub>)串联连接,连接点为第一公共连接点(a);第三半导体开关(S<sub>3</sub>)与第四半导体开关(S<sub>4</sub>)串联连接,即第三半导体开关(S<sub>3</sub>)的发射极与第四半导体开关(S<sub>4</sub>)的集电极连接在第二公共连接点(b);第三电容器(C<sub>3</sub>)与第四电容器(C<sub>4</sub>)串联连接,其公共连接点为第四公共连接点(d);第五半导体开关(S<sub>5</sub>)与第六半导体开关(S<sub>6</sub>)串联连接,即第五半导体开关(S<sub>5</sub>)的发射极与第六半导体开关(S<sub>6</sub>)的集电极连接在第三公共连接点(c);第一半导体开关(S<sub>1</sub>)的集电极与第一电容器(C<sub>1</sub>)的正极、第三半导体开关(S<sub>3</sub>)的集电极连接在第五连接点(P<sub>5</sub>);第二半导体开关(S<sub>2</sub>)的发射极与第二电容器(C<sub>2</sub>)的负极、第四半导体开关(S<sub>4</sub>)的发射极连接在第二连接端子(T<sub>2</sub>);第五半导体开关(S<sub>5</sub>)的集电极与第三电容器(C<sub>3</sub>)的正极连接于第六连接点(P<sub>6</sub>);第六半导体开关(S<sub>6</sub>)的发射极与第四电容器(C<sub>4</sub>)的负极连接在第四连接端子(T<sub>4</sub>);第二机械机械式旁路开关(K<sub>2</sub>)的一端连接到第六连接点(P<sub>6</sub>),第二机械机械式旁路开关(K<sub>2</sub>)的另一端作为第三连接端子(T<sub>3</sub>);第一、第二两个公共连接点(a、b)与第一无源器件(Z<sub>1</sub>)以及高频变压器(HFT)的高压侧绕组串联连接;第三公共连接点(c)和第四公共连接点(d)与第二无源器件(Z<sub>2</sub>)以及高频变压器(HFT)的低压侧绕组串联连接;其特征在于所述的控制方法为:所述的高压直流变压器中,N台隔离型低压DC‑DC变换器中的R台为冗余工作状态,且0&lt;R&lt;N;正常情况下,N台隔离型低压DC‑DC变换器的高压侧第一机械式旁路开关(K<sub>1</sub>)均处于关断状态,而其低压侧第二机械式旁路开关(K<sub>2</sub>)均处于闭合状态;在任意一个控制周期内,N‑R台隔离型低压DC‑DC变换器的高压侧串联连接到高压直流侧,即隔离型低压DC‑DC变换器高压侧的第一半导体开关(S<sub>1</sub>)为导通状态,而第二半导体开关(S<sub>2</sub>)为关断状态;同时,其余的R台隔离型低压DC‑DC变换器的高压侧第一半导体开关(S<sub>1</sub>)为关断状态,而第二半导体开关(S<sub>2</sub>)为导通状态,即R台隔离型低压DC‑DC变换器的高压侧未被串联到高压直流中;由于每台隔离型低压DC‑DC变换器的低压侧并联在一起且变换器功率能够双向流动,因此N台隔离型低压DC‑DC变换器的高压侧电压均相等,且均等于高压直流电压的1/(N‑R);当任意一台隔离型低压DC‑DC变换器的内部出现损坏或故障时,其高压侧的第一机械式旁路开关(K<sub>1</sub>)闭合,同时其低压侧的机械式旁路开关(K<sub>2</sub>)断开,使得发生损坏或故障的隔离型低压DC‑DC变换器与其余部分电路的联系切断;该故障的隔离型低压DC‑DC变换器被旁路之后,在任意一个控制周期内仍然只有N‑R台隔离型低压DC‑DC变换器的高压侧串联连接到了高压直流侧,不影响整个高压直流变压器的正常工作,也不影响输入电压、输出电压的额定设计值。
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