| 发明名称 | ITO层及ITO图案的制作方法、显示基板及显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种氧化铟锡层的制作方法，该方法通过在本底真空环境下采用磁控溅射工艺在衬底基板上沉积氧化铟锡层，所述磁控溅射工艺的工作气为氩气，在沉积非晶氧化铟锡层的过程中，向本底真空环境中通入水形成水蒸气，通入水的速度为Q2*T<sub>ITO</sub>/10000*(1±20％)sccm；其中，Q2表示在单位为sccm时，向本底真空环境中通入的氩气的流量所对应的数值；T <sub>ITO</sub>表示在单位为μm时，需要沉积的氧化铟锡层的厚度的数值。采用本发明提供的制作方法，能够大大降低所制作的氧化铟锡层的多晶化程度。 | ||
| 申请公布号 | CN104313542B | 申请公布日期 | 2016.09.28 |
| 申请号 | CN201410575788.9 | 申请日期 | 2014.10.24 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 王灿 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 李相雨 |
| 主权项 | 一种氧化铟锡层的制作方法，该方法通过在本底真空环境下采用磁控溅射工艺在衬底基板上沉积氧化铟锡层，所述磁控溅射工艺的工作气为氩气，其特征在于，在沉积氧化铟锡层的过程中，向本底真空环境中通入水形成水蒸气，通入水的速度为Q1＝Q2*T<sub>ITO</sub>/100000*(1±20％)sccm；其中，Q2表示在单位为sccm时，向本底真空环境中通入的氩气的流量所对应的数值；T<sub>ITO</sub>表示在单位为埃时，需要沉积的氧化铟锡层的厚度的数值。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||