氮化钛去除用液体组合物和使用其的半导体元件的清洗方法、以及半导体元件的制造方法

摘要

根据本发明，可以提供如下液体组合物：其用于从具有氮化钛、钨和低介电常数层间绝缘膜的基板去除氮化钛而不腐蚀钨和低介电常数层间绝缘膜，该液体组合物包含：(A)氧化剂，其为选自由高锰酸钾、过二硫酸铵、过二硫酸钾和过二硫酸钠组成的组中的至少一种、(B)氟化合物、和(C)钨防腐蚀剂，且pH值为0～4，前述(C)钨防腐蚀剂包含：选自由烷基胺和其盐、氟烷基胺和其盐等组成的C1化合物组中的2种以上不同的化合物，或者包含选自前述C1化合物组中的1种以上和选自由聚氧亚烷基烷基胺、聚氧亚烷基氟烷基胺等组成的C2化合物组中的1种以上，前述(A)氧化剂中的高锰酸钾的浓度为0.001～0.1质量％，前述(B)氟化合物的浓度为0.01～1质量％。

主权项

一种液体组合物，其从具有氮化钛、钨和低介电常数层间绝缘膜的基板去除氮化钛而不腐蚀钨和低介电常数层间绝缘膜，该液体组合物包含：(A)氧化剂，其为选自由高锰酸钾、过二硫酸铵、过二硫酸钾和过二硫酸钠组成的组中的至少一种、(B)氟化合物、和(C)钨防腐蚀剂，且pH值为0～4，所述(C)钨防腐蚀剂包含：选自由烷基胺和其盐、氟烷基胺和其盐、烷基氧化胺、氟烷基氧化胺、烷基甜菜碱、氟烷基甜菜碱、烷基季铵和其盐、氟烷基季铵和其盐、烷基季吡啶鎓盐、氟烷基季吡啶鎓盐、烷基季联吡啶鎓盐、氟烷基季联吡啶鎓盐、烷基季咪唑鎓盐和氟烷基季咪唑鎓盐组成的C1化合物组中的2种以上不同的化合物，或者包含：选自所述C1化合物组中的1种以上和选自由聚氧亚烷基烷基胺、聚氧亚烷基氟烷基胺、聚氧亚烷基烷基醚、聚氧亚烷基氟烷基醚、聚氧亚烷基烷基磷酸酯、聚氧亚烷基氟烷基磷酸酯、聚氧亚烷基烷基醚硫酸盐、聚氧亚烷基氟烷基醚硫酸盐、烷基二苯基醚磺酸盐和氟烷基二苯基醚磺酸盐组成的C2化合物组中的1种以上，所述(A)氧化剂中的高锰酸钾的浓度为0.001～0.1质量％，所述(B)氟化合物的浓度为0.01～1质量％。