| 发明名称 | 解决半导体测试失败的半导体结构以及半导体测试方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种解决半导体测试失败的半导体结构以及半导体测试方法。根据本发明的用于解决由于钝化层裂缝而导致半导体测试失败的半导体结构包括：布置在晶圆的金属层、布置在金属层上的钝化层、在钝化层的顶部和侧壁上形成的聚酰胺层、覆盖金属层的一部分并且覆盖聚酰胺层的至少一部分的中间层、以及布置在中间层上连接层。 | ||
| 申请公布号 | CN105977177A | 申请公布日期 | 2016.09.28 |
| 申请号 | CN201610307798.3 | 申请日期 | 2016.05.11 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 王鹏;刘宇;李秀莹 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅 |
| 主权项 | 一种解决半导体测试失败的半导体结构，用于解决由于钝化层裂缝而导致半导体测试失败，其特征在于包括：布置在晶圆的金属层、布置在金属层上的钝化层、在钝化层的顶部和侧壁上形成的聚酰胺层、覆盖金属层的一部分并且覆盖聚酰胺层的至少一部分的中间层、以及布置在中间层上连接层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||