发明名称 负极片及其制备方法及电池
摘要 本发明涉及电池领域,具体公开了一种负极片,包括:集流体、硅薄膜层、位于所述集流体与所述硅薄膜层之间的缓冲层、以及第二活性材料体;在所述硅薄膜层与所述缓冲层中形成有裂缝,所述第二活性材料体覆于所述硅薄膜层上并填充所述缝隙;所述第二活性材料体中含有石墨以及聚酰亚胺。上述负极片,由于在集流体和硅薄膜层之间设置缓冲层,且第二活性材料通过裂缝渗透将集流体、缓冲层以及硅薄膜层形成一个紧密联接的整体,从而有效提高了硅薄膜层与集流体之间的附着力,避免硅薄膜层与集流体之间发生脱落的现象。另外,硅薄膜层位于缓冲层与第二活性材料体之间,有效抑制了硅的粉化问题。本发明还公开了上述负极片的制备方法及电池。
申请公布号 CN105977447A 申请公布日期 2016.09.28
申请号 CN201610578064.9 申请日期 2016.07.21
申请人 苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司;苏州协鑫集成储能科技有限公司;协鑫集成科技(苏州)有限公司;协鑫集成科技股份有限公司 发明人 余海君;郝三存;相江峰;刁增朋
分类号 H01M4/133(2010.01)I;H01M4/134(2010.01)I;H01M4/137(2010.01)I;H01M4/1393(2010.01)I;H01M4/1395(2010.01)I;H01M4/1399(2010.01)I;H01M4/36(2006.01)I;H01M4/38(2006.01)I;H01M4/583(2010.01)I;H01M4/60(2006.01)I 主分类号 H01M4/133(2010.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 唐清凯
主权项 一种负极片,其特征在于,包括:集流体、硅薄膜层、位于所述集流体与所述硅薄膜层之间的缓冲层、以及第二活性材料体;在所述硅薄膜层与所述缓冲层中形成有裂缝,所述第二活性材料体覆于所述硅薄膜层上并填充所述缝隙;所述第二活性材料体中含有石墨以及聚酰亚胺。
地址 215000 江苏省苏州市苏州工业园区钟慧路58号2幢125室