| 发明名称 | 一种高效扩散的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高效扩散的方法，该方法包括如下步骤：将硅片置于扩散炉中，通入含有磷源的气体，对所述硅片进行第一次扩散；对所述硅片的方阻进行检测，当所述硅片的方阻值比预定值低4Ω/□～8Ω/□时，在690℃～720℃的温度下，对所述硅片进行第二次扩散；在氮气保护下，对所述硅片进行出炉操作。采用本发明提供的方法，扩散后得到硅片表面掺杂浓度低，表面复合小，太阳能电池的光电转换效率可以得到显著的提高。 | ||
| 申请公布号 | CN103715301B | 申请公布日期 | 2016.09.28 |
| 申请号 | CN201310719747.8 | 申请日期 | 2013.12.20 |
| 申请人 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 发明人 | 李旺;韩玮智;牛新伟;王仕鹏;黄海燕;陆川 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L21/223(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 冯谱 |
| 主权项 | 一种高效扩散的方法，其特征在于，包括如下步骤：a)将硅片置于扩散炉中，通入含有磷源的气体，对所述硅片进行第一次扩散；b)对所述硅片的方阻进行检测，当所述硅片的方阻值比预定值低4Ω/□～8Ω/□时，在690℃～720℃的温度下，对所述硅片进行第二次扩散；使得硅片的方阻值提高4Ω/□～8Ω/□，达到正常方阻值的控制范围内；c)在氮气保护下，对所述硅片进行出炉操作。 | ||
| 地址 | 310053 浙江省杭州市滨江区滨安路1335号 | ||