发明名称 |
条形结构的形成方法 |
摘要 |
一种条形结构的形成方法,在所述待刻蚀材料层表面形成第一掩膜图形;以所述第一掩膜图形为掩膜,对所述待刻蚀材料层进行刻蚀,形成第一条形图形,所述第一条形图形包括若干条互相平行且均匀排列的第一条形结构;在所述第一条形结构表面形成第二掩膜图形,所述第二掩膜图形对应于第一掩膜图形的中间区域;以所述第二掩膜图形为掩膜,对所述暴露出的第一条形结构进行刻蚀,形成第二条形图形。由于先形成若干条互相平行且均匀排列的第一条形结构,使得形成的第一条形结构的刻蚀均匀性较佳,后续利用第二掩膜图形刻蚀形成第二条形结构,由于第二条形结构的位置位于第一条形结构的中间区域,第二条形结构的宽度、深度、侧壁形貌等的均匀性较佳。 |
申请公布号 |
CN103928292B |
申请公布日期 |
2016.09.28 |
申请号 |
CN201310011752.3 |
申请日期 |
2013.01.11 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
洪中山 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种条形结构的形成方法,其特征在于,包括:提供待刻蚀材料层,在所述待刻蚀材料层表面形成第一掩膜图形,所述第一掩膜图形包括至少两条互相平行且均匀排列的条形掩膜结构,所述第一掩膜图形的总宽度大于后续形成的第二掩膜图形的总宽度,所述第一掩膜图形的总长度大于后续形成的第二掩膜图形的总长度;以所述第一掩膜图形为掩膜,对所述待刻蚀材料层进行第一刻蚀,形成第一条形图形,所述第一条形图形包括至少两条互相平行且均匀排列的第一条形结构;去除所述第一掩膜图形,在所述第一条形图形上形成第二掩膜图形,所述第二掩膜图形定义出后续形成的第二条形结构的区域,且所述第二掩膜图形对应于第一条形图形的中间区域;以所述第二掩膜图形为掩膜,对暴露出的第一条形结构进行第二刻蚀,形成第二条形图形,其中,被第二掩膜图形覆盖的第一条形结构形成第二条形结构。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |