| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体装置及其形成方法，所述半导体装置包括：具有第一电极的第一半导体元件；具有第二电极的第二半导体元件；在第二电极上形成的Sn系焊料微凸块；和与所述焊料微凸块相对的包括第一电极的凹状凸块焊盘，其中第一电极经由所述焊料微凸块和所述凹状凸块焊盘与第二电极连接。 | ||
| 申请公布号 | CN105981160A | 申请公布日期 | 2016.09.28 |
| 申请号 | CN201580006909.0 | 申请日期 | 2015.04.15 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 胁山悟;徐直树;清水完;林利彦;中村卓矢 |
| 分类号 | H01L23/31(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 梁兴龙;曹正建 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：具有第一电极的第一半导体元件；具有第二电极的第二半导体元件；在第二电极上形成的Sn系焊料微凸块；和在第一电极上形成的与所述焊料微凸块相对的凹状凸块焊盘，其中第一电极经由所述焊料微凸块和所述凹状凸块焊盘与第二电极连接。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||