一种二硫化铼单晶的生长方法

摘要

本发明提供了一种二硫化铼单晶的生长方法，取一定比例的三氧化铼与过量的硫粉混合放入石英管中并抽真空，在400℃下保温一至两天后，将得到的粉末研细后放在酒精灯上灼烧，去除多余的硫，得到纯度较高的二硫化铼多晶；将得到的去硫后的二硫化铼多晶与输运剂溴混合后，封入石英管并抽真空后放入多温区炉，利用化学气相输运法生长出二硫化铼单晶。

主权项

一种二硫化铼单晶的生长方法，其特征在于取一定比例的三氧化铼与过量的硫粉制得二硫化铼多晶后，将得到的粉末研细后放在酒精灯上灼烧去硫，并将得到的去硫后二硫化铼多晶与输运剂溴混合后，利用化学气相输运法生长出二硫化铼单晶。