用于在半导体装置的金属基极层上产生金属柱的方法

摘要

本文包含的主题公开了一种用于在半导体装置的金属基极层上产生金属柱的方法，该金属柱覆盖焊点底层金属焊盘，该焊盘进一步覆盖半导体衬底，其中，该金属柱由至少一个光致抗蚀剂层限定。该方法包括加热多元素金属浆料(其包括可变量的金属粉末、熔点抑制剂和助焊剂)，使得金属粉末烧结以形成金属柱，同时将金属柱粘附至焊点底层金属焊盘。

主权项

一种用于在半导体装置的金属基极层上产生金属柱的方法，包括：在所述金属基极层上沉积光致抗蚀剂层；在所述光致抗蚀剂层中产生开口，所述开口具有的总体积构造为暴露所述金属基极层且进一步构造为限定所述金属柱；用多元素金属浆料充分地填充所述光致抗蚀剂层中的所述开口的总体积，所述多元素金属浆料包括金属部分和非金属部分；通过将所述多元素金属浆料加热至所述多元素金属浆料的金属部分的烧结温度，来至少部分地去除所述多元素金属浆料的非金属部分，由此，所述光致抗蚀剂层中的所述开口的总体积的底部保留所述多元素金属浆料的烧结金属部分并且该总体积的顶部是空的；用焊料浆料充分地填充所述总体积的空的顶部；通过将所述焊料浆料加热至所述焊料浆料的回流温度来形成焊帽；以及剥离所述光致抗蚀剂层。