发明名称 |
一种量子点带间级联激光器 |
摘要 |
本申请公开了一种锑化物量子点带间级联激光器。该激光器是通过在GaSb衬底上,依次制备下限制层、下波导层、级联区、上波导层、上限制层、InAs接触层。本申请公开的这种激光器采用量子点有源区作为该带间级联激光器的有源区,利用量子点材料的特点,有效对载流子的限制和利用,使带间级联激光器具有更低的阈值电流密度及宽的增益谱特性,有效提高带间级联激光器的性能。 |
申请公布号 |
CN105977788A |
申请公布日期 |
2016.09.28 |
申请号 |
CN201610436288.6 |
申请日期 |
2016.06.17 |
申请人 |
长春理工大学 |
发明人 |
魏志鹏;唐吉龙;方铉;刘雪;高娴;贾慧民;范杰;马晓辉;王晓华 |
分类号 |
H01S5/34(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/34(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种量子点带间级联激光器,该激光器采用分子束外延设备在GaSb衬底上依次外延生长下限制层、下波导层、级联区、上波导层、上限制层、InAs接触层,其特征在于,有源区采用量子点有源区,电子注入区、量子点有源区和电子势垒区构成所述级联区。 |
地址 |
130022 吉林省长春市卫星路7089号 |