发明名称 | 具有高阶温度补偿的低温度系数带隙基准电压源 | ||
摘要 | 本发明公开具有高阶温度补偿的低温度系数带隙基准电压源,包括一阶带隙核电路和互补温度系数电流产生电路。一阶带隙核电路为基本的一阶温度补偿带隙核电路或低压电流模结构的一阶温度补偿带隙核电路,实现BJT晶体管射极‑基极电压的一阶温度补偿;互补温度系数电流产生电路从一阶带隙核电路中用于产生一阶正温度补偿项的低电流密度BJT晶体管射极抽取互补温度系数电流,从而在一阶带隙核电路中引入正的高阶温度项,补偿BJT晶体管射极‑基极电压中所含有的负高阶温度项,获得与温度无关的输出基准电压。本发明电压源输出基准电压的温度系数低至1 ppm/℃,补偿效果良好,结构简单,适合低电源电压,满足电路和工艺兼容性强、生产后修调简单的要求。 | ||
申请公布号 | CN105974991A | 申请公布日期 | 2016.09.28 |
申请号 | CN201610519932.6 | 申请日期 | 2016.07.05 |
申请人 | 湖北大学 | 发明人 | 万美琳;顾豪爽 |
分类号 | G05F1/567(2006.01)I | 主分类号 | G05F1/567(2006.01)I |
代理机构 | 武汉帅丞知识产权代理有限公司 42220 | 代理人 | 朱必武 |
主权项 | 具有高阶温度补偿的低温度系数带隙基准电压源,包括:一阶带隙核电路和互补温度系数电流产生电路;所述一阶带隙核电路用于实现BJT晶体管射极—基极电压的一阶温度补偿;其特征在于:所述互补温度系数电流产生电路包括:一个运算放大器、一个电阻和两条CMOS电流镜;所述运算放大器和CMOS电流镜构成负反馈环路;所述互补温度系数电流产生电路从一阶带隙核电路中用于产生一阶正温度补偿项的低电流密度BJT晶体管射极抽取互补温度系数电流,从而在一阶带隙核电路中引入正的高阶温度项,所述正的高阶温度项用于补偿BJT晶体管射极‑基极电压中所含有的负高阶温度项,获得与温度无关的输出基准电压。 | ||
地址 | 430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号 |