低暗电流高速PIN探测器及其加工方法

摘要

本发明揭示了一种低暗电流高速PIN探测器，包括衬底，所述衬底上生长有P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层上覆盖有增透膜，所述增透膜上设置有至少一个P型欧姆接触电极，所述衬底上端面除P型欧姆接触层外的区域均覆盖有阻隔层，所述阻隔层上覆盖有增透膜，所述衬底下端面由上至下依次覆盖生长有N型欧姆接触层及N型欧姆接触电极，所述衬底上端面开设有第一隔离沟槽，所述衬底下端面开设有第二隔离沟槽，所述第一隔离沟槽与第二隔离沟槽内均填充有阻隔材料，所述第一隔离沟槽位于所述P型欧姆接触层的外周侧，所述第一隔离沟槽与第二隔离沟槽上下对应。本发明能够有效减少器件内部的暗电流，效果优异，具有很高的使用及推广价值。

主权项

低暗电流高速PIN探测器，可用于红外、可见光、紫外或太赫兹波段范围内的光线探测，其特征在于：包括衬底（101），所述衬底（101）上生长有P型欧姆接触层（103），所述P型欧姆接触层（103）上覆盖有增透膜（102），所述增透膜（102）上设置有至少一个与所述P型欧姆接触层（103）触接的P型欧姆接触电极（106），所述衬底（101）上端面除所述P型欧姆接触层（103）外的区域均覆盖有阻隔层（108），所述阻隔层（108）上覆盖有增透膜（102），所述衬底（101）的下端面由上至下依次覆盖生长有N型欧姆接触层（105）及N型欧姆接触电极（106），所述衬底（101）的上端面开设有一圈第一隔离沟槽（104），所述衬底（101）的下端面开设有一圈第二隔离沟槽（109），所述第一隔离沟槽（104）与第二隔离沟槽（109）内均填充有阻隔材料，所述第一隔离沟槽（104）位于所述P型欧姆接触层（103）的外周侧，所述第一隔离沟槽（104）与第二隔离沟槽（109）上下对应。