场效应晶体管构造及存储器阵列

摘要

本发明揭示一种晶体管，在一些实施例中，其包含具有底部源极/漏极区、第一绝缘材料、导电栅极、第二绝缘材料及顶部源极/漏极区的堆叠。所述堆叠具有垂直侧壁，其具有沿着所述底部源极/漏极区的底部部分，沿着所述导电栅极的中间部分，以及沿着所述顶部源极/漏极区的顶部部分。第三绝缘材料沿着所述垂直侧壁的所述中间部分。沟道区材料沿着所述第三绝缘材料。所述沟道区材料直接抵靠所述垂直侧壁的所述顶部部分及所述底部部分。所述沟道区材料具有处在从大于约3A到小于或等于约IθA的范围内的厚度；及/或具有从1单分子层到7单分子层的厚度。

主权项

一种垂直场效应晶体管构造，其包括：垂直定向堆叠，其以递升顺序包括底部源极/漏极区、第一绝缘材料、导电栅极、第二绝缘材料及顶部源极/漏极区；所述堆叠具有垂直侧壁；所述垂直侧壁具有沿着所述底部源极/漏极区的底部部分、沿着所述导电栅极的中间部分及沿着所述顶部源极/漏极区的顶部部分；第三绝缘材料，其沿着所述垂直侧壁的整个所述中间部分；沟道区材料，其沿着所述第三绝缘材料且通过所述第三绝缘材料与所述导电栅极隔开；所述沟道区材料直接抵靠所述垂直侧壁的所述底部部分的至少部分，且直接抵靠所述垂直侧壁的所述顶部部分的至少部分；且所述沟道区材料具有处在大于约到小于或等于约的范围内的厚度。