发明名称 一种晶硅硅片缺陷检测设备的透光性检测单元
摘要 本发明公开了一种晶硅硅片缺陷检测设备的透光性检测单元,它包括用于连接处理单元的光电耦合器和能够发出波长为400nm以上光线的光源,所述光源和光电耦合器分设于待检测硅片的两侧,所述光电耦合器的感光口和所述光源的出光口相对,所述光源照射所述硅片的一侧面,所述光电耦合器接收来自硅片另一侧面的光信号,并将光信号转换为电信号后输出以便对该电信号进行处理和分析,从而获得缺陷数据。本发明既可检测硅片外形尺寸,又可有效检测硅片的孔洞缺陷,能够大大减少电池电极短路的现象,从而大幅度提高电池的转换效率,而且检测效率也大大提高。
申请公布号 CN104020178B 申请公布日期 2016.09.28
申请号 CN201410191377.X 申请日期 2014.05.08
申请人 晶澳太阳能有限公司 发明人 杨伟强;郑淑刚;郭爱军;魏红军
分类号 G01N21/95(2006.01)I;G01B11/00(2006.01)I;G01B11/24(2006.01)I 主分类号 G01N21/95(2006.01)I
代理机构 广州知友专利商标代理有限公司 44104 代理人 李海波;侯莉
主权项 一种晶硅硅片缺陷检测设备的透光性检测单元,其特征在于:它包括用于连接中央处理单元的光电耦合器和能够发出波长为400nm以上光线的光源,所述光源和光电耦合器分设于待检测硅片的两侧,所述光电耦合器的感光口和所述光源的出光口相对,所述光源照射所述硅片的一侧面,所述光电耦合器接收来自硅片另一侧面的光信号,并将光信号转换为电信号后输出以便对该电信号进行处理和分析,从而获得缺陷数据;所述光源和光电耦合器之间的距离为5~30mm,所述待检测硅片处于二者中间位置;所述缺陷数据包括硅片外形尺寸、边缘残缺规格、孔洞尺寸及数量信息;所述光源发出的光线为波长600nm以上的红色可见光;所述光电耦合器和所述光源均为长条形,它们均与待检测硅片的传送方向相垂直,所述光电耦合器的感光口和光源的出光口的长度至少等于待检测硅片的宽度;光电耦合器扫描硅片边缘和孔洞,接收来自硅片边缘的光信号和孔洞的点状光线信号,硅片边缘的光信号用于检测硅片外形尺寸,点状光线信号的位置用于计算孔洞的数量,点状光线信号的强度用于表征孔洞的尺寸。
地址 055550 河北省邢台市宁晋县晶龙大街267号