半导体装置及其制造方法

摘要

本发明为半导体装置及其制造方法。所述半导体装置具有能够通过激光进行切断的熔断元件且具有耐腐蚀性，在该半导体装置中，从半导体衬底的背面照射的激光被聚光于熔断元件上，以熔断元件能够发热、膨胀、破裂的方式使用多孔质的绝缘膜覆盖熔断元件的上部。为了防止水分的侵入，在半导体装置的正面配置相同厚度的氮化硅膜。

主权项

一种半导体装置，其具有熔断元件，该半导体装置具有：半导体衬底；场绝缘膜，其设置于所述半导体衬底的正面；熔断元件，其设置于所述场绝缘膜之上；中间绝缘膜，其覆盖所述熔断元件的侧面和上表面；金属的格子，其设置于所述中间绝缘膜之上并覆盖所述熔断元件；多孔质的绝缘膜，其设置于所述格子的周围；以及氮化硅膜，其覆盖所述多孔质的绝缘膜的正面。