| 发明名称 |
一种抗还原X9R型介质陶瓷材料 |
| 摘要 |
一种抗还原X9R型介质陶瓷材料，包括主材料和烧结助剂,所述主材料的化学通式为:(Bix<sub>1</sub>Mx<sub>1</sub>Nx<sub>2</sub>Ba<sub>1</sub>‑x<sub>1</sub>‑x<sub>2</sub>)(Mny<sub>1</sub>Mgy<sub>2</sub>Ny<sub>3</sub>Ti<sub>1</sub>‑y<sub>1</sub>‑y<sub>2</sub>‑y<sub>3</sub>)O<sub>3</sub>；所述主材料通式中的Ｍ为选自Li、Na和K中的一种；所述主材料通式中的Ｎ为选自Y、Dy、Ho和Er中的一种；其中,0.02＜x<sub>1</sub>＜0.10，0＜x<sub>2</sub>＜0.01，0.001＜y<sub>1</sub>＜0.01，0.003＜y<sub>2</sub>＜0.01,0＜y<sub>3</sub>＜0.01；所述烧结助剂的化学通式为:BazCa<sub>1</sub>‑zSiO<sub>3</sub>,其中0.4＜z＜0.6；所述烧结助剂与主材料的重量份配比为：1‑5：100。本发明有益效果是：本发明所述的X9R型介质陶瓷材料既满足X9R温度特性，又能在还原气氛烧结后得到高的电阻率，可以应用于制备镍电极X9R陶瓷电容器。 |
| 申请公布号 |
CN105967681A |
申请公布日期 |
2016.09.28 |
| 申请号 |
CN201610302614.4 |
申请日期 |
2016.05.10 |
| 申请人 |
湖北天瓷电子材料有限公司 |
发明人 |
资美勇;吴浩;杨诚锐;何大强 |
| 分类号 |
C04B35/468(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B41/88(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;H01G4/30(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/468(2006.01)I |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
一种抗还原X9R型介质陶瓷材料，其特征在于包括主材料和烧结助剂,所述主材料的化学通式为:(Bix<sub>1</sub>Mx<sub>1</sub>Nx<sub>2</sub>Ba<sub>1</sub>‑x<sub>1</sub>‑x<sub>2</sub>)(Mny<sub>1</sub>Mgy<sub>2</sub>Ny<sub>3</sub>Ti<sub>1</sub>‑y<sub>1</sub>‑y<sub>2</sub>‑y<sub>3</sub>)O<sub>3</sub>；所述主材料通式中的Ｍ为选自Li、Na和K中的一种；所述主材料通式中的Ｎ为选自Y、Dy、Ho和Er中的一种；其中,0.02＜x<sub>1</sub>＜0.10，0＜x<sub>2</sub>＜0.01，0.001＜y<sub>1</sub>＜ 0.01，0.003＜y<sub>2</sub>＜ 0.01, 0＜y<sub>3</sub>＜ 0.01；所述烧结助剂的化学通式为:BazCa<sub>1</sub>‑zSiO<sub>3</sub>,其中0.4＜z＜0.6；所述烧结助剂与主材料的重量份配比为：1‑5：100。 |
| 地址 |
448000 湖北省荆门市东宝工业园安栈口路七号 |
