发明名称 |
p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法,包括以强氧化性的硝酸铜为溶质,以乙酰丙酮、甘氨酸、尿素或柠檬酸为络合剂配置前驱体溶液;然后利用所述前驱体溶液在以重掺杂硅为衬底的二氧化硅绝缘层上形成厚度为30 nm~50 nm的p型氧化铜薄膜并对其进行退火处理;最后在所述p型氧化铜薄膜表面蒸镀贵金属层分别作为源极和漏极,从而制得所述p型氧化铜薄膜晶体管。该方法制备过程中会自主释放出大量的热能,使缩合化反应和致密化过程在较低的温度下和较短的时间内发生从而制得电学性能稳定的p型氧化铜薄膜,该方法工艺简单、原料易得。 |
申请公布号 |
CN105977165A |
申请公布日期 |
2016.09.28 |
申请号 |
CN201610338044.4 |
申请日期 |
2016.05.20 |
申请人 |
河南大学 |
发明人 |
张新安;郑海务;杨光;刘献省;李爽;张伟风 |
分类号 |
H01L21/477(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/477(2006.01)I |
代理机构 |
郑州德勤知识产权代理有限公司 41128 |
代理人 |
黄军委;白毅明 |
主权项 |
一种p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法,包括以下步骤:提供一种铜离子浓度为0.02 mol/L~0.06 mol/L的硝酸铜有机溶液;然后向所述硝酸铜有机溶液中加入络合剂进行混合制得前驱体溶液,其中所述络合剂为乙酰丙酮、甘氨酸、尿素、柠檬酸中的一种或几种的组合;采用所述前驱体溶液在以重掺杂硅为衬底的二氧化硅绝缘层上形成厚度为30 nm~50 nm的p型氧化铜薄膜并对其进行退火处理;采用热蒸发镀膜法在所述p型氧化铜薄膜表面蒸镀贵金属层分别作为源极和漏极,从而制得所述p型氧化铜薄膜晶体管。 |
地址 |
475004 河南省开封市金明区金明大道北段金明校区 |