| 摘要 |
질화물 반도체 박막 성장 방법에 관한 것으로, 기판 위에 반도체층을 형성하는 단계와, 반도체층 위에 마스크층을 형성하고 마스크층을 패터닝하여 반도체층의 일부가 노출되도록 적어도 하나의 윈도우(window)를 형성하는 단계와, 노출된 반도체층을 식각하여 윈도우를 중심으로 마스크층의 하부면 및 기판 일부를 노출시키는 단계와, 노출된 마스크층의 하부면을 따라 식각된 반도체층으로부터 윈도우 방향으로 반도체층을 수평 성장시키는 단계와, 수평 성장된 반도체층을 윈도우 및 마스크층 상부로 수직 성장시키는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다. |
