用于单片数据转换接口保护的装置及其形成方法

摘要

提供了用于单片数据转换接口保护的设备和方法。在具体实施方式中，保护装置包括用于在信号节点和电源高节点之间提供保护的第一硅控整流器(SCR)和第一二极管，用于在信号节点和电源低节点之间提供保护的第二SCR和第二二极管，以及用于在电源高节点和电源低节点之间提供保护的第三SCR和第三二极管。SCR和二极管结构集成在公共电路布局中，由此在结构间共用某些阱和有源区域。按照这样的方式配置保护装置使得能够利用单个单元实现原位的输入/输出接口保护。保护装置适合于亚3V操作下的单片数据转换接口保护。

主权项

一种保护装置，包括：衬底；衬底中的第一掺杂类型的第一半导体区域；衬底中的第二掺杂类型的第二半导体区域；衬底中的第一掺杂类型的第三半导体区域，其中第二半导体区域位于第一和第三半导体区域之间；衬底中的第二掺杂类型的第四半导体区域，其中第三半导体区域位于第二和第四半导体区域之间；第一半导体区域中的第二类型的第一扩散区域；与第一半导体区域邻接的第一栅极区域；第二半导体区域中的第一类型的第二扩散区域；第二半导体区域中的第一类型的第三扩散区域；第三半导体区域中的第二类型的第四扩散区域；第四半导体区域中的第一类型的第五扩散区域；与第四半导体区域邻接的第二栅极区域；与第一和第五扩散区域电连接的信号节点；与第二和第三扩散区域电连接的第一电源节点；以及与第四扩散区域电连接的第二电源节点，其中第二扩散区域、第二半导体区域、第一半导体区域和第一扩散区域被配置成操作作为第一硅控整流器，其中第三扩散区域、第二半导体区域、第三半导体区域和第四扩散区域被配置成操作作为第二硅控整流器，而且其中第五扩散区域、第四半导体区域、第三半导体区域和第四扩散区域被配置成操作作为第三硅控整流器。