发明名称 一种灵敏放大器
摘要 本发明属于集成电路技术领域,公开了一种灵敏放大器,包括:传输门电路、钳位放大电路以及预充电电路;所述传输门电路连接在所述钳位放大电路的输入端与所述输入信号之间;所述预充电电路连接在所述电源与所述钳位放大电路输出端之间,对读出信号进行预充电。本发明通过在输入端设置传输门电路,在输出端设置预充电电路提升放大器的抗干扰能力,提高位线的负载驱动力,同时提升电路读写速度。
申请公布号 CN103559903B 申请公布日期 2016.09.28
申请号 CN201310512210.4 申请日期 2013.10.25
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 刘鑫;赵发展;刘梦新;韩郑生
分类号 G11C7/06(2006.01)I;G11C7/12(2006.01)I 主分类号 G11C7/06(2006.01)I
代理机构 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人 刘杰
主权项 一种灵敏放大器,其特征在于,包括:传输门电路、钳位放大电路以及预充电电路;所述传输门电路连接在所述钳位放大电路的输入端与输入信号之间;所述预充电电路连接在电源与所述钳位放大电路输出端之间,对读出信号进行预充电;其中,所述钳位放大电路包括:M2/M3/M6/M7/M12/M13六个NMOS管以及M10/M11两个PMOS管;所述NMOS管M2和NMOS管M3的源极接地;所述NMOS管M2的栅极连接第一输入信号IN1,漏极连接NMOS管M6的源极;所述NMOS管M3的栅极连接第二输入信号IN2,漏极连接NMOS管M7的源极;所述NMOS管M6的栅极与所述PMOS管M10的栅极相连,所述NMOS管M6的漏极与所述NMOS管M12的源极相连;所述NMOS管M12的漏极与所述PMOS管M10的漏极以及第一输出信号OUT1相连;所述PMOS管M10的源极连接电源;所述NMOS管M12和NMOS管M13的栅极连接控制信号R;所述NMOS管M7的栅极与所述PMOS管M11的栅极相连,所述NMOS管M7的漏极与所述NMOS管M13的源极相连;所述NMOS管M13的漏极与所述PMOS管M11的漏极以及第二输出信号OUT2相连;所述PMOS管M11的源极连接电源;所述传输门电路包括:NMOS管M1、NMOS管M4和NMOS管M5;所述NMOS管M1、所述NMOS管M4和所述NMOS管M5的栅极连接控制信号SE;所述NMOS管M1连接在所述NMOS管M2的源极与地之间,所述NMOS管M1的漏极与所述NMOS管M2的源极相连,所述NMOS管M1的源极接地;所述NMOS管M2的栅极通过NMOS管M4与第一输入信号IN1相连,所述NMOS管M4的漏极与所述NMOS管M2的栅极相连,源极与所述第一输入信号IN1相连;所述NMOS管M3的栅极通过NMOS管M5与第二输入信号IN2相连,所述NMOS管M5的源极与所述NMOS管M3的栅极相连,漏极与所述第二输入信号IN2相连;所述预充电电路包括:PMOS管M8和PMOS管M9;所述PMOS管M8和所述PMOS管M9的源极连接电源;所述PMOS管M8的漏极连接第一输出信号OUT1,栅极连接控制信号SE的非信号SE’;所述PMOS管M9的漏极连接第二输出信号OUT2,栅极连接控制信号SE的非信号SE’。
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
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