| 发明名称 | 用于制造构件的方法和构件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制造构件的方法，首先制造第一层复合体，其包括由导电材料制成的第一基底和至少一个构造在第一基底中并且填充有绝缘材料的沟槽，第一基底的第一区域至少在第一基底的第一表面上通过沟槽侧向与第一基底的其它区域电绝缘。接着制造第二层复合体，其包括第一层复合体和结构层。所述结构层具有构件的活动结构并且至少在第一区域中是导电的，结构层的第一区域在第一基底的第一区域中邻接第一基底的第一表面并且与之导电连接。然后，在第一基底的第二表面上——第二表面与第一表面相对置——在第一基底的第一区域中制出第一导电接触面，第一基底的第一区域在第一基底的第二表面上通过沟槽侧向与第一基底的其它区域电绝缘。借助该方法实现这样的构件，在其中借助第一基底的第一区域和第一接触面实现与结构层第一区域的电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN105980293A | 申请公布日期 | 2016.09.28 |
| 申请号 | CN201580006575.7 | 申请日期 | 2015.02.11 |
| 申请人 | 诺思罗普·格鲁曼·利特夫有限责任公司 | 发明人 | 沃尔弗拉姆·盖格 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 用于制造构件(1)的方法，包括：制造第一层复合体(10)，其包括由导电材料制成的第一基底(11)和至少一个填充有绝缘材料的沟槽(15)，所述至少一个沟槽从第一基底(11)的第一表面(111)起延伸，第一基底(11)的第一区域(113)在第一表面(111)处通过所述至少一个沟槽(15)侧向与第一基底(11)的其它区域电绝缘，制造第二层复合体(20)，其包括第一层复合体(10)和结构层(25)，所述结构层具有构件的活动结构(252)并且至少在第一区域(251)中是导电的，结构层(25)的第一区域(251)在第一基底(11)的第一区域(113)中邻接第一基底(11)的第一表面(111)并且与该第一基底导电连接，并且在第一基底(11)的第二表面(112)上制出第一导电接触面(17)，第二表面(112)与第一表面(111)相对置并且第一接触面(17)设置在第一基底(11)的第一区域(113)中，第一基底(11)的第一区域(113)在第二表面(112)处通过所述至少一个沟槽(15)侧向与第一基底(11)的其它区域电绝缘。 | ||
| 地址 | 德国弗赖堡 | ||