碳量子点负载的SnS₂纳米片、其制备方法及应用

摘要

本发明涉及一种碳量子点负载的SnS₂纳米片、其制备方法及应用，属于无机半导体纳米材料技术领域。本发明通过将SnS₂纳米片浸入碳源的溶液中，然后用高温裂解法在SnS₂纳米片表面生成C量子点，制备得到碳量子点负载的SnS₂纳米片，生成的碳量子点负载的SnS₂纳米片之间联络成纳米墙，C量子点大小5～20nm，利用C量子点附着的方法避免了光解水过程中的氧化腐蚀，同时提升了催化剂效率，以KIO₃为牺牲剂，制氧速率到达了1.1mmol/g·h。本发明的方法具有制备工艺简单、操作方便、速度快以及绿色环保的优点，制备过程中不使用和产生毒性与腐蚀性的气体，具有广阔的应用前景。

主权项

一种碳量子点负载的SnS₂纳米片，其特征在于，包括SnS₂纳米片以及负载在SnS₂纳米片表面的碳量子点。