发明名称 一种硅太阳能电池阵列的故障检测方法
摘要 本发明公开了一种硅太阳能电池阵列的故障检测方法,具体包括以下步骤:S1采集太阳能电池阵列的温度以及辐照度,得到太阳能电池阵列在该条件下的I‑V输出特性关系;S2根据得到的I‑V输出特性关系式,利用基于I‑V输出特性的实际串联等效电阻计算式,计算出太阳能电池组件的实际串联等效电阻R<sub>S1</sub>,通过基于环境参数的参考串联等效电阻计算式,计算出太阳能电池组件的参考串联等效电阻R<sub>S</sub>;S3根据实际串联等效电阻R<sub>S1</sub>与参考串联等效电阻R<sub>S</sub>之间的比值得到K;S4根据K值大小判别太阳能电池阵列故障、电池组件老化或被遮挡的严重程度。本发明综合考虑了温度,辐照度,输出电压、电流参数,提高了判别的精确度,并且能定位故障点的位置。
申请公布号 CN105978486A 申请公布日期 2016.09.28
申请号 CN201610599612.6 申请日期 2016.07.27
申请人 重庆大学 发明人 郭珂;伍敏;戴博伟;黄恩芳
分类号 H02S50/10(2014.01)I 主分类号 H02S50/10(2014.01)I
代理机构 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人 赵荣之
主权项 一种硅太阳能电池阵列的故障检测方法,其特征在于:包括以下步骤:S1采集太阳能电池阵列的温度以及辐照度,得到太阳能电池阵列在该条件下的I‑V输出特性关系式;S2根据得到的I‑V输出特性关系式,利用基于I‑V输出特性的实际串联等效电阻计算式,计算出太阳能电池组件的实际串联等效电阻R<sub>S1</sub>,通过基于环境参数的参考串联等效电阻计算式,计算出太阳能电池组件的参考串联等效电阻R<sub>S</sub>;S3根据实际串联等效电阻R<sub>S1</sub>与参考串联等效电阻R<sub>S</sub>之间的比值得到K;S4根据K值大小判别太阳能电池阵列故障、电池组件老化或被遮挡的严重程度。
地址 400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
您可能感兴趣的专利