| 发明名称 | 集成型半导体激光器元件以及半导体激光器模块 | ||
| 摘要 | 一种集成型半导体激光器元件，在基板上集成了半导体激光器和对所述半导体激光器的输出激光进行放大的半导体光放大器，所述集成型半导体激光器元件的特征在于，所述半导体激光器包括第1活性层，所述半导体光放大器包括第2活性层，所述第1活性层以及所述第2活性层具有多量子阱结构，所述第2活性层的量子阱数目比所述第1活性层的量子阱数目多。由此，能够实现输出激光的光谱线宽窄且高强度的集成型半导体激光器元件以及半导体激光器模块。 | ||
| 申请公布号 | CN105981239A | 申请公布日期 | 2016.09.28 |
| 申请号 | CN201580007841.8 | 申请日期 | 2015.02.06 |
| 申请人 | 古河电气工业株式会社 | 发明人 | 清田和明;小林刚 |
| 分类号 | H01S5/026(2006.01)I;H01S5/12(2006.01)I;H01S5/125(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I;H01S5/50(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/026(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李国华 |
| 主权项 | 一种集成型半导体激光器元件，在基板上集成了半导体激光器和对所述半导体激光器的输出激光进行放大的半导体光放大器，所述集成型半导体激光器元件的特征在于，所述半导体激光器包括第1活性层，所述半导体光放大器包括第2活性层，所述第1活性层以及所述第2活性层具有多量子阱结构，所述第2活性层的量子阱数目比所述第1活性层的量子阱数目多。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||