| 发明名称 | 分散有C粒子的Fe-Pt型溅射靶 | ||
| 摘要 | 一种溅射靶，其为原子数的组成比由式(Fe<sub>100‑X</sub>‑PtX)<sub>100‑A</sub>‑C<sub>A</sub>(其中，A为满足20≤A≤50的数，X为满足35≤X≤55的数)表示的烧结体溅射靶，其特征在于，具有微细分散在合金中的C粒子，并且相对密度为90%以上。本发明的课题在于提供可以在不使用高价的同时溅射装置的情况下制作颗粒结构磁性薄膜、并且使溅射时产生的粉粒减少的、高密度的溅射靶。 | ||
| 申请公布号 | CN103270554B | 申请公布日期 | 2016.09.28 |
| 申请号 | CN201180061229.0 | 申请日期 | 2011.11.14 |
| 申请人 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 佐藤敦;荻野真一 |
| 分类号 | G11B5/851(2006.01)I;C22C33/02(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;G11B5/64(2006.01)I;G11B5/65(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/851(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种溅射靶，其为原子数的组成比由式(Fe<sub>100‑X</sub>‑Pt<sub>X</sub>)<sub>100‑A</sub>‑C<sub>A</sub>表示的烧结体溅射靶，所述式中，A为满足20≤A≤50的数，X为满足35≤X≤55的数，其特征在于，具有微细分散在合金中的C粒子，并且相对密度为90％以上。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||