硅片键合方法

摘要

本发明揭示了一种硅片键合方法。该方法包括：提供第一硅片，并在所述第一硅片中形成孤岛结构；在所述第一硅片上形成牺牲氧化层；去除所述牺牲氧化层，使得所述孤岛结构的边缘硅表面低于区域；在所述第一硅片上形成键合氧化层，该键合氧化层在孤岛结构的边缘厚于区域；提供第二硅片，所述第二硅片通过所述孤岛结构与第一硅片键合。本发明中由于通过孤岛结构的硅表面和键合氧化层厚度的互相补偿，获得了良好的表面微观平整度，能够使得第一硅片与第二硅片键合时有较大的键合面积，提高了键合强度。

主权项

一种硅片键合方法，包括：提供第一硅片，并在所述第一硅片中形成孤岛结构；在所述第一硅片上形成牺牲氧化层；去除所述牺牲氧化层，使得所述孤岛结构的边缘硅表面低于中央区域；在所述第一硅片上形成键合氧化层，该键合氧化层在孤岛结构的边缘厚于中央区域，键合氧化层形成后位于孤岛结构边缘的部分不高于中央区域；提供第二硅片，所述第二硅片通过所述孤岛结构与第一硅片键合。