| 发明名称 | 一种叠层QLED器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种叠层QLED器件及其制备方法。所述层QLED器件包括依次层叠设置的基板、第一阳极、第一量子点发光层、阴极，以及在所述阴极上依次层叠设置的第二量子点发光层和碳纳米管层。本发明提供的叠层QLED器件，可以显著提高QLED器件的发光效率，同时，所述碳纳米管层的设置，可以及时有效地将器件产生的热量进行发散，从而增强QLED器件的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN105977401A | 申请公布日期 | 2016.09.28 |
| 申请号 | CN201610599395.0 | 申请日期 | 2016.07.27 |
| 申请人 | TCL集团股份有限公司 | 发明人 | 刘佳;曹蔚然;杨一行;钱磊 |
| 分类号 | H01L51/56(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人 | 张全文 |
| 主权项 | 一种叠层QLED器件，其特征在于，包括依次层叠设置的基板、第一阳极、第一量子点发光层、阴极，以及在所述阴极上依次层叠设置的第二量子点发光层和碳纳米管层。 | ||
| 地址 | 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区 | ||