一种硅掺杂二氧化钛纳米线光电极的制备方法

摘要

本发明公开了一种硅掺杂二氧化钛纳米线光电极的制备方法，包括以下步骤：采用传统水热法在FTO导电玻璃基底上生长含硅的金红石二氧化钛纳米线阵列，从而制得含硅的二氧化钛纳米线光电极；采用气相水热法用硫化氢原位还原所述含硅的二氧化钛纳米线光电极；对还原后的含硅的二氧化钛纳米线光电极进行退火处理，从而制得硅掺杂二氧化钛纳米线光电极。本发明不仅制备工艺简单、设备成本和原料成本低廉、掺杂效果好，而且所制得的光电极具有优异的稳定性和光电子传输能力。

主权项

一种硅掺杂二氧化钛纳米线光电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A、采用传统水热法在FTO导电玻璃基底上生长含硅的金红石二氧化钛纳米线阵列，从而得到含硅的二氧化钛纳米线光电极；步骤B、采用气相水热法用硫化氢原位还原所述含硅的二氧化钛纳米线光电极；步骤C、对步骤B还原后的含硅的二氧化钛纳米线光电极进行退火处理，从而制得硅掺杂二氧化钛纳米线光电极。