| 发明名称 | FinFET沟道的形成方法及其结构 | ||
| 摘要 | 一种用于制造具有基本未掺杂的沟道区域的半导体器件的方法，包括：实施至衬底内的离子注入；在衬底上方沉积第一外延层；以及在第一外延层上方沉积第二外延层。在各个实例中，形成从衬底延伸的多个鳍。多个鳍中的每个都包括离子注入的衬底的部分、第一外延层的部分和第二外延层的部分。在一些实施例中，多个鳍中的每个的第二外延层的部分包括未掺杂的沟道区域。在各个实施例中，氧化多个鳍中的每个的第一外延层的部分。本发明实施例涉及FinFET沟道的形成方法及其结构。 | ||
| 申请公布号 | CN105977144A | 申请公布日期 | 2016.09.28 |
| 申请号 | CN201510450604.0 | 申请日期 | 2015.07.28 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 王志豪;蔡庆威;江国诚;廖忠志;连万益 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：实施至衬底内的离子注入；在实施所述离子注入之后，在所述衬底上方沉积第一外延层，并且在所述第一外延层上方沉积第二外延层；形成从所述衬底延伸的多个鳍，其中，所述多个鳍中的每个都包括离子注入的衬底的部分、所述第一外延层的部分和所述第二外延层的部分，并且其中，所述多个鳍中的每个的所述第二外延层的部分都包括未掺杂的沟道区域；以及氧化所述多个鳍中的每个的所述第一外延层的部分。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||