一种自对准薄膜晶体管及其制备方法

摘要

发明公开了一种自对准薄膜晶体管及其制备方法，包括以下步骤：将淀积了有源层、栅介质和栅电极的衬底置于电解液中，其中栅介质覆盖有源层的一部分，栅电极至少覆盖栅介质的一部分，对暴露在电解液中的有源层通过电解水的方法进行掺氢处理；通过光刻和刻蚀有源层，形成包含源区、漏区和沟道区的有源区；沟道区位于栅介质正下方，源区和漏区均由经过电化学掺氢处理的有源层经光刻和刻蚀之后余下的部分组成，并分别位于沟道区两侧；形成覆盖衬底、栅电极、源区和漏区的一层绝缘介质层，并且形成分别与源区和漏区接触的源区金属接触电极和漏区金属接触电极。

主权项

一种自对准薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将淀积了有源层、栅介质和栅电极的衬底置于电解液中，其中所述栅介质覆盖所述有源层的一部分，所述栅电极至少覆盖所述栅介质的一部分，对暴露在所述电解液中的所述有源层通过电解水的方法进行掺氢处理；通过光刻和刻蚀所述有源层，形成包含源区、漏区和沟道区的有源区；所述沟道区由未经过电化学掺氢处理的所述有源层组成，所述沟道区位于栅介质正下方，所述源区和所述漏区均由经过电化学掺氢处理的有源层经所述光刻和刻蚀之后余下的部分组成，并分别位于所述沟道区两侧；形成覆盖所述衬底、所述栅电极、所述源区和所述漏区的一层绝缘介质层，并且形成分别与所述源区和漏区接触的源区金属接触电极和漏区金属接触电极。