nitride semiconductor device and method for fabricating the same

摘要

m-면을 이용한 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 제 1 영역과, 적어도 하나의 돌출부를 갖는 제 2 영역을 포함하는 기판과, 기판의 제 2 영역 위에 형성되는 제 1 전극과, 기판의 제 1 영역 위에 형성되고, 다수의 기능층이 적층되는 반도체층과, 반도체층 위에 형성되는 제 2 전극을 포함하여 구성될 수 있다.