| 发明名称 | 测量光刻工艺套刻精度的方法及掩膜版 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种测量光刻工艺套刻精度的方法及掩膜版，在同一个曝光图案周围同时设置有当层套刻对准标记和层间套刻对准标记，本发明不仅对每层内的曝光图案的套刻精度进行测量还同时对层间的套刻精度进行测量，提高了多层次曝光图案的套刻精度。 | ||
| 申请公布号 | CN105954985A | 申请公布日期 | 2016.09.21 |
| 申请号 | CN201610498868.8 | 申请日期 | 2016.06.30 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 叶序明 |
| 分类号 | G03F9/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G03F9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;陈慧弘 |
| 主权项 | 一种掩膜版，其特征在于，同一个曝光图案周围同时设置有当层套刻对准标记和层间套刻对准标记。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||