发明名称 一种实现多晶硅铸锭炉冷却的方法及冷却装置
摘要 本发明公开一种实现多晶硅铸锭炉冷却的方法,基于现有结构的铸锭炉,将铸锭炉内的隔热笼结构进行改进;第一步,首先在铸锭炉的隔热笼内增加一隔温装置,将隔热笼内形成两个封闭的腔室;第二步,然后在其中上腔室内设有上加热器、坩埚和下加热器,通过关闭隔温装置,启动上加热器和下加热器同时加热,使坩埚内的硅料熔化;第三步,在隔温装置下方设有换热装置;第四步,控制隔温装置开口的大小来控制冷气量,控制晶硅均匀生长。该冷却方法通过隔热门,巧妙地将炉内冷热分隔开;该方法通过控制上下加热器的功率,形成上下温度梯度,通过打开隔热门的每层可以控制开口的大小来控制通气量,控制冷却速度;该方法结构简单,操作方便。
申请公布号 CN102912412B 申请公布日期 2016.09.21
申请号 CN201210177335.1 申请日期 2012.06.01
申请人 沈阳森之洋自动化科技有限公司 发明人 樊海艳
分类号 C30B11/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C30B11/00(2006.01)I
代理机构 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人 俞鲁江
主权项 一种实现多晶硅铸锭炉冷却的方法,基于现有结构的铸锭炉,其特征在于:将铸锭炉内的隔热笼结构进行改进;第一步,首先在铸锭炉的隔热笼内增加一隔温装置,将隔热笼内形成两个封闭的腔室;第二步,然后在其中上腔室内设有上加热器、坩埚和下加热器,通过关闭隔温装置,启动上加热器和下加热器同时加热,使坩埚内的硅料熔化;第三步,在隔温装置下方设有换热装置;第四步,控制隔温装置开口的大小来控制冷气量,控制晶硅均匀生长;上述第一步中隔温门设置为N层门,第一层门是全封闭的,将第二层~第N层隔温门设成中部开口,将各个隔温门层叠设置;当隔温门为N层时,设置第N层隔温门上的开口度大于第N‑1隔温门上的开口度;其中N≧3,N为整数;将所述第一层隔温门打开后,其余隔温门的中部开口处贯穿形成倒金字塔形状。
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